MMBFJ177LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -20.0 mA
漏源极电阻 300 Ω
极性 P-Channel
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 11pF @10VVgs
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBFJ177LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBFJ177LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBFJ177LT1 | ON Semiconductor 安森美 | JFET砍刀P沟道 - 耗尽 JFET Chopper P-Channel - Depletion | 搜索库存 |
替代型号MMBFJ177LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBFJ177LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -25V -20mA | 当前型号 | JFET砍刀P沟道 - 耗尽 JFET Chopper P-Channel - Depletion | 当前型号 |
| 型号： MMBFJ177 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 225mW | 完全替代 | P 通道 JFET，Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | MMBFJ177LT1和MMBFJ177的区别 |
| 型号： MMBFJ177LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -25V -20mA 225mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBFJ177LT1G 晶体管, JFET, JFET, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET | MMBFJ177LT1和MMBFJ177LT1G的区别 |