FQA7N90、STD60NF06T4、STD6N95K5对比区别

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型号 FQA7N90 STD60NF06T4 STD6N95K5

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 7.40 A - -

漏源极电阻 1.55 Ω 0.014 Ω 1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 198W (Tc) 110 W 90 W

漏源极电压(Vds) 900 V 60 V 950 V

漏源击穿电压 900 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.40 A 60.0 A 9A

输入电容(Ciss) 2280pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 220 W 110 W 90 W

耗散功率(Max) 198W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 4 V

上升时间 - 108 ns 12 ns

下降时间 - 20 ns 21 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容 - - 450 pF

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99