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STD6N95K5

STD6N95K5

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STMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

The is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and ultra low gate charge. This Power MOSFET is designed using ST"s revolutionary avalanche-rugged very high voltage SuperMESH™ 5 technology, based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in ON-resistance and ultra-low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.

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Worldwide best FOMfigure of merit
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100% Avalanche tested
STD6N95K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

输入电容 450 pF

漏源极电压Vds 950 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 450pF @100VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Industrial, 电源管理, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD6N95K5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD6N95K5 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STD6N95K5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD6N95K5

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 950V 9A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： STD15NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

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型号： STD3NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6Ω

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型号： STD17NF25

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 250V 8.5A

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