FQA7N90
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA7N90中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 7.40 A
漏源极电阻 1.55 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 198W Tc
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
输入电容Ciss 2280pF @25VVds
额定功率Max 220 W
耗散功率Max 198W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
FQA7N90引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA7N90
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA7N90 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 900V 7.4A 1.55ohms | 当前型号 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQA7N90和STD18N55M5的区别 |
| 型号： STW12NK90Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V | FQA7N90和STW12NK90Z的区别 |
| 型号： STD60NF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA7N90和STD60NF06T4的区别 |