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STD60NF06T4

STD60NF06T4

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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


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MOSFET N-CH 60V 60A DPAK


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N沟道 60V 60A


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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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STD60NF06T4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 108 ns

输入电容Ciss 1810pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD60NF06T4引脚图与封装图
STD60NF06T4引脚图

STD60NF06T4引脚图

STD60NF06T4封装图

STD60NF06T4封装图

STD60NF06T4封装焊盘图

STD60NF06T4封装焊盘图

在线购买STD60NF06T4
型号 制造商 描述 购买
STD60NF06T4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STD60NF06T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD60NF06T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ

当前型号

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STD15NF10T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

类似代替

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

STD60NF06T4和STD15NF10T4的区别

型号： STD3NK60ZT4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6Ω

类似代替

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STD60NF06T4和STD3NK60ZT4的区别

型号： STD12NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ

类似代替

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