BSC028N06NSATMA1、BSC034N06NSATMA1、BSB028N06NN3G对比区别

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型号 BSC028N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSB028N06NN3G

描述 INFINEON  BSC028N06NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 V60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 7

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 MG-WDSON-2

额定功率 83 W 74 W -

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0025 Ω 2.8 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 83 W 74 W -

阈值电压 2.8 V 2.1 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 100A 100A -

上升时间 38 ns 5 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 2700pF @30V(Vds) 2400pF @30V(Vds) 8800pF @30V(Vds)

下降时间 8 ns 5 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2500 mW 78 W

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 6.1 mm 5.9 mm 6.35 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.05 mm

高度 1.1 mm 1.27 mm 0.53 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 MG-WDSON-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -