额定功率 74 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 2.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 74 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC034N06NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC034N06NSATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TDSON-8 N-CH 60V 100A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.8 V | 当前型号 |
| 型号： BSC016N06NSATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 30A | 类似代替 | INFINEON BSC016N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V | BSC034N06NSATMA1和BSC016N06NSATMA1的区别 |
| 型号： BSC028N06LS3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 23A | 类似代替 | INFINEON BSC028N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V | BSC034N06NSATMA1和BSC028N06LS3GATMA1的区别 |
| 型号： BSC014N06NSATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 30A | 类似代替 | INFINEON BSC014N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V | BSC034N06NSATMA1和BSC014N06NSATMA1的区别 |
