BSB028N06NN3G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSB028N06NN3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 8800pF @30VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 78 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 MG-WDSON-2
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.53 mm
封装 MG-WDSON-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSB028N06NN3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSB028N06NN3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSB028N06NN3G | Infineon 英飞凌 | 60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSB028N06NN3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSB028N06NN3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： MG-WDSON-2 N-Channel | 当前型号 | 60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSC028N06NSATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 100A | 功能相似 | INFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V | BSB028N06NN3G和BSC028N06NSATMA1的区别 |
| 型号： BSB028N06NN3GXUMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 22A | 功能相似 | INFINEON BSB028N06NN3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 V | BSB028N06NN3G和BSB028N06NN3GXUMA1的区别 |