MBT3906DW1T1、MBT3906DW1T1G、MBT3906DW1T2G对比区别

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型号 MBT3906DW1T1 MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T2G

描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363-6

频率 - 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -

额定电流 -200 mA -200 mA -

额定功率 - 150 mW -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 6 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

增益频宽积 250 MHz - -

长度 2 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.35 mm -

高度 0.9 mm 1 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -