MBT3906DW1T2G中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBT3906DW1T2G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3906DW1T2G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual PNP Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号MBT3906DW1T2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3906DW1T2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP PNP 0.15W | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual PNP Bipolar Transistor | 当前型号 |
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