MBT3906DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MBT3906DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MBT3906DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3906DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号MBT3906DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3906DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP PNP -40V -200mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： MBT3906DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -40V -200mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBT3906DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363 | MBT3906DW1T1和MBT3906DW1T1G的区别 |
| 型号： FFB3906 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R | MBT3906DW1T1和FFB3906的区别 |
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