ULN2003AFWG、ULN2004D1013TR、ULN2003ADR对比区别

高亮显示差异参数

型号 ULN2003AFWG ULN2004D1013TR ULN2003ADR

描述 ULN2003AFWGSTMICROELECTRONICS  ULN2004D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOICTEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

输出接口数 7 7 7

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -20 ℃ -20 ℃

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出电压 - 50 V 50 V

输出电流 - 500 mA 0.5 A

通道数 - 7 7

针脚数 - 16 16

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -

输出电压(Max) - 50 V -

输入电压 - 30 V 30 V

驱动器/包 - - 7

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 10 mm 9.9 mm

宽度 - 4 mm 3.91 mm

高度 - 1.65 mm 1.58 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

香港进出口证 NLR - NLR

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA)