ULN2003AFWG
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
ULN2003AFWG中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 7
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
输出电流Max 500 mA
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
ULN2003AFWG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ULN2003AFWG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ULN2003AFWG | Toshiba 东芝 | ULN2003AFWG | 搜索库存 |
替代型号ULN2003AFWG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ULN2003AFWG 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | ULN2003AFWG | 当前型号 |
| 型号： ULN2003ADR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC | ULN2003AFWG和ULN2003ADR的区别 |
| 型号： MC1413BDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列 | ULN2003AFWG和MC1413BDR2G的区别 |
| 型号： ULN2004D1013TR 品牌： 意法半导体 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 功能相似 | STMICROELECTRONICS ULN2004D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC | ULN2003AFWG和ULN2004D1013TR的区别 |