2N7002ET1G、2N7002K、2N7002E-T1-E3对比区别

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型号 2N7002ET1G 2N7002K 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V小信号MOSFET 60 V 380 mA时，单N通道， SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23VISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.86 Ω 2 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 420 mW 350 mW 350 mW

阈值电压 1 V 2.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA 0.38A 240 mA

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 21pF @5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 350 mW 350 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

输入电容 26.7 pF - -

上升时间 1.2 ns 9 ns -

正向电压(Max) 1.2 V - -

额定功率(Max) 300 mW 350 mW -

下降时间 3.6 ns 29 ns -

高度 0.94 mm 1.2 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

长度 2.9 mm 2.92 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -