2N7002E-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 70.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 240 mA
输入电容Ciss 21pF @5VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N7002E-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买2N7002E-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002E-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号2N7002E-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002E-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-23 N-Channel 60V 240mA 7.5ohms | 当前型号 | VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002ET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002E-T1-E3和2N7002ET1G的区别 |