针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-CH
耗散功率 350 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.38A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, ???????, Low Side Load Switch, ????, DC-DC Converter, 电源管理, Level Shift Circuits, Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002K | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 60 V 380 mA时,单N通道, SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002K 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 N-CH 60V 0.38A 2500mΩ 2.3V | 当前型号 | 小信号MOSFET 60 V 380 mA时,单N通道, SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23 | 当前型号 | |
型号: 2N7002ET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002K和2N7002ET1G的区别 | |
型号: 2V7002LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 0.115A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 2N7002K和2V7002LT1G的区别 | |
型号: 2N7002 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 | 类似代替 | 2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23 | 2N7002K和2N7002的区别 |