MMBT6428、MMBT8099LT1G、MMBT6428LT1G对比区别

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型号 MMBT6428 MMBT8099LT1G MMBT6428LT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT6428LT1G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 700 MHz 150 MHz 700 MHz

额定电压(DC) 50.0 V 80.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 200 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 80 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 100 @1mA, 5V 250 @100µA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 650 300 650

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 250 150 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 2.64 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99