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MMBT8099LT1G

MMBT8099LT1G

数据手册.pdf

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor MMBT8099LT1G , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:75, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
MMBT8099LT1G


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 150 MHz, 225 mW, 500 mA, 150 hFE


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN MMBT8099LT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi MMBT8099LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT8099LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 150 MHz, 225 mW, 500 mA, 150 hFE


DeviceMart:
TRANS GP SS NPN 80V SOT23


MMBT8099LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT8099LT1G引脚图与封装图
MMBT8099LT1G引脚图

MMBT8099LT1G引脚图

MMBT8099LT1G封装焊盘图

MMBT8099LT1G封装焊盘图

在线购买MMBT8099LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBT8099LT1G ON Semiconductor 安森美 NPN 晶体管,ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号MMBT8099LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT8099LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 500mA 300mW

当前型号

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: MMBT8099LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 80V 500mA

完全替代

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon

MMBT8099LT1G和MMBT8099LT1的区别

型号: MPS8099RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 500mA 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MPS8099RLRAG  双极性晶体管

MMBT8099LT1G和MPS8099RLRAG的区别

型号: MMBT6428

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 50V 500mA 350mW

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE

MMBT8099LT1G和MMBT6428的区别