MMBT6428LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 700 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 650
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT6428LT1G引脚图与封装图 
MMBT6428LT1G引脚图
MMBT6428LT1G封装图
MMBT6428LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT6428LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT6428LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1G 双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MMBT6428LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT6428LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6428LT1G 双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MMBT6428LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 300mW | 类似代替 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | MMBT6428LT1G和MMBT6428LT1的区别 |
| 型号： BCX70J 品牌： 安森美 封装： SOT23 350mW | 类似代替 | 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 125 MHz, 350 mW, 200 mA, 250 hFE | MMBT6428LT1G和BCX70J的区别 |
| 型号： MMBT6428 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor MMBT6428 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=50 V, HFE:250, 700 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT6428LT1G和MMBT6428的区别 |