SPP20N60C3HKSA1、SPP20N60C3XKSA1、SIHP22N60E-GE3对比区别

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型号 SPP20N60C3HKSA1 SPP20N60C3XKSA1 SIHP22N60E-GE3

描述 INFINEON  SPP20N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VVISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管中高压MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 190 mΩ 0.19 Ω 0.15 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 208 W 227 W

阈值电压 3 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.7A 20.7A -

上升时间 5 ns 5 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1920pF @100V(Vds)

下降时间 4.5 ns 4.5 ns 54 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) 227 W

通道数 - 1 1

额定功率(Max) - 208 W -

长度 10 mm 10 mm 10.51 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.65 mm

高度 9.25 mm 15.65 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs -

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free