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SPP20N60C3XKSA1

SPP20N60C3XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1


欧时:
INFINEON MOSFET SPP20N60C3XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220


SPP20N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Man, Computers & Computer Peripherals, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPP20N60C3XKSA1引脚图与封装图
SPP20N60C3XKSA1引脚图

SPP20N60C3XKSA1引脚图

SPP20N60C3XKSA1封装图

SPP20N60C3XKSA1封装图

SPP20N60C3XKSA1封装焊盘图

SPP20N60C3XKSA1封装焊盘图

在线购买SPP20N60C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
SPP20N60C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPP20N60C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPP20N60C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 600V 20.7A

当前型号

INFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPP20N65C3XKSA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-3 N-CH 650V 20.7A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

SPP20N60C3XKSA1和SPP20N65C3XKSA1的区别

型号： SIHP22N60E-GE3

品牌： 威世

封装： TO-220AB N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3

SPP20N60C3XKSA1和SIHP22N60E-GE3的区别

型号： FCP190N60E

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 600V 20.6A

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCP190N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V

SPP20N60C3XKSA1和FCP190N60E的区别