SPP20N60C3HKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPP20N60C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-220-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPP20N60C3HKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPP20N60C3HKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPP20N60C3HKSA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SPP20N60C3HKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPP20N60C3HKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 20.7A | 当前型号 | INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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