通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 227 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 1920pF @100VVds
下降时间 54 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 227 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Portable Devices, Alternative Energy, Lighting, Communications & Networking, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHP22N60E-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHP22N60E-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3 | 当前型号 |
| 型号： SIHP22N60E-E3 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-Channel | 完全替代 | N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | SIHP22N60E-GE3和SIHP22N60E-E3的区别 |
| 型号： SPP20N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 650V 20.7A | 功能相似 | INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V | SIHP22N60E-GE3和SPP20N60C3的区别 |
| 型号： SPP20N60C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 20.7A | 功能相似 | INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V | SIHP22N60E-GE3和SPP20N60C3XKSA1的区别 |
