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TIP31B-BP、TIP31BG、TIP31B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP31B-BP TIP31BG TIP31B

描述 TO-220AB NPN 80V 3AON SEMICONDUCTOR  TIP31BG  射频双极晶体管NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 3.00 A 3 A 3.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2000 mW 40 W 40.0 W

增益频宽积 3 MHz 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

频率 - 3 MHz -

针脚数 - 3 -

热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -

直流电流增益(hFE) - 50 -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

集电极击穿电压 - - 80.0 V

长度 10.67 mm 10.28 mm -

宽度 4.82 mm 4.83 mm -

高度 9.02 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

重量 - 0.004535924 kg -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99