TIP31B-BP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TIP31B-BP引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TIP31B-BP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TIP31B-BP 品牌： Micro Commercial Components 美微科 封装： TO-220-3 NPN 80V 3A | 当前型号 | TO-220AB NPN 80V 3A | 当前型号 |
| 型号： TIP31BG 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 80V 3A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP31BG 射频双极晶体管 | TIP31B-BP和TIP31BG的区别 |
| 型号： TIP31B 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 3A | 功能相似 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | TIP31B-BP和TIP31B的区别 |