MJE5740G、MJE5742、MJE5742G对比区别

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型号 MJE5740G MJE5742 MJE5742G

描述 NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTSNPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJE5742G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 400 V 400 V

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2A, 5V 200 @2A, 5V

额定功率(Max) - 2 W 2 W

输出电压 - - 400 V

输出电流 - - 8 A

针脚数 - - 3

耗散功率 2 W - 80 W

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

最大电流放大倍数(hFE) - - 100

直流电流增益(hFE) - - 400

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 100 W

输入电压 - - 8 V

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.28 mm - 10.28 mm

宽度 4.82 mm - 4.82 mm

高度 9.28 mm - 15.75 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99