MJE5742G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 8.00 A
输出电压 400 V
输出电流 8 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
热阻 62.5℃/W RθJA
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 5V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 400
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 100 W
输入电压 8 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Inverters, Switching Regulators, Small Engine Ignition, Motor Controls, Solenoid and Relay Drivers
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE5742G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJE5742G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE5742G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJE5742G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJE5742G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE5742G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 400V 8A 80000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJE5742G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJE5742 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 400V 8A | 完全替代 | NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS | MJE5742G和MJE5742的区别 |
| 型号： MJE5740G 品牌： 安森美 封装： TO-220AB NPN 80000mW | 类似代替 | NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS | MJE5742G和MJE5740G的区别 |
| 型号： KSE5742 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 400V 8A 80000mW | 功能相似 | 高压功率开关在电感电路 High Voltage Power Switching In Inductive Circuits | MJE5742G和KSE5742的区别 |