MJE5742中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 8.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 5V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
最小包装 50
制造应用 Switching Regulators, Motor Controls, Small Engine Ignition, Inverters, Solenoid and Relay Drivers
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE5742引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MJE5742
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE5742 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS | 搜索库存 |
替代型号MJE5742
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE5742 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN 400V 8A | 当前型号 | NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS | 当前型号 |
| 型号： MJE5742G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 400V 8A 80000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJE5742G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE | MJE5742和MJE5742G的区别 |
| 型号： MJE5740G 品牌： 安森美 封装： TO-220AB NPN 80000mW | 类似代替 | NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS | MJE5742和MJE5740G的区别 |