STP75NF75、PHP160NQ08T,127、IRFB3607PBF对比区别

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型号 STP75NF75 PHP160NQ08T,127 IRFB3607PBF

描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 75V 75AINFINEON  IRFB3607PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0095 Ω 90 mΩ 0.00734 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 300 W 300 W 140 W

阈值电压 3 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75.0 V 75 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75A 80A

上升时间 25.0 ns 56 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds) 3070pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 140W (Tc)

下降时间 - 48 ns 96 ns

额定功率 - - 140 W

输入电容 - - 3070 pF

长度 10.4 mm 10.3 mm 10.66 mm

宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.82 mm

高度 9.15 mm 9.4 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99