PHP160NQ08T,127
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHP160NQ08T,127中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 90 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 5585pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHP160NQ08T,127引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PHP160NQ08T,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHP160NQ08T,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 75V 75A | 搜索库存 |
替代型号PHP160NQ08T,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHP160NQ08T,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB N-CH 75V 75A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 75V 75A | 当前型号 |
| 型号： STP75NF75 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | PHP160NQ08T,127和STP75NF75的区别 |
| 型号： FDP032N08 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-Channel 75V 235A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP032N08 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V | PHP160NQ08T,127和FDP032N08的区别 |
| 型号： AOT430 品牌： 万代半导体 封装： TO-220 N-CH 75V 80A | 功能相似 | TO-220 N-CH 75V 80A | PHP160NQ08T,127和AOT430的区别 |