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STP75NF75

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB


立创商城:
N沟道 75V 80A


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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STP75NF75 系列 75 V 0.011 Ohm N沟道 STripFET™ II 功率 MosFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; TO220-3


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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 75 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V


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**N-CH 75V 80A 11mOhm TO220-3 **


力源芯城:
75V,80A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220


STP75NF75中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP75NF75引脚图与封装图
STP75NF75引脚图

STP75NF75引脚图

STP75NF75封装图

STP75NF75封装图

STP75NF75封装焊盘图

STP75NF75封装焊盘图

在线购买STP75NF75
型号 制造商 描述 购买
STP75NF75 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP75NF75
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP75NF75

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ

当前型号

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STP60NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STP75NF75和STP60NF06的区别

型号: STP5NK100Z

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

STP75NF75和STP5NK100Z的区别

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

类似代替

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

STP75NF75和STP80NF10的区别