
额定功率 140 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.00734 Ω
极性 N-CH
耗散功率 140 W
阈值电压 4 V
输入电容 3070 pF
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 3070pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 96 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, Battery Operated Drive
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99

IRFB3607PBF引脚图

IRFB3607PBF封装图

IRFB3607PBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFB3607PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFB3607PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRFB3607PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 75V 80A | 当前型号 | INFINEON IRFB3607PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFSL3607PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 75V 80A | 完全替代 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFB3607PBF和IRFSL3607PBF的区别 | |
型号: AUIRFU3607 品牌: 英飞凌 封装: TO-251AA-3 N-CH 75V 80A | 完全替代 | IPAK N-CH 75V 80A | IRFB3607PBF和AUIRFU3607的区别 | |
型号: IRF2807ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 75V 89A | 类似代替 | INFINEON IRF2807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V | IRFB3607PBF和IRF2807ZPBF的区别 |