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CSD17576Q5B、CSD17576Q5BT、CSD17577Q5A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17576Q5B CSD17576Q5BT CSD17577Q5A

描述 CSD17576Q5B,30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-CLIP VSON-Clip-8 VSONP-8

通道数 - 1 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 3.1 W 3.1 W 3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 60A

上升时间 16 ns 16 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 4430pF @15V(Vds) 3410pF @15V(Vds) 2310pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns 3 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1 W 3W (Ta), 53W (Tc)

漏源极电阻 - 2.4 mΩ -

阈值电压 - 1.1 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

封装 VSON-CLIP VSON-Clip-8 VSONP-8

长度 - 6.1 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -