通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2310pF @15VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 53W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
封装 VSONP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CSD17577Q5A引脚图
CSD17577Q5A封装图
CSD17577Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17577Q5A | TI 德州仪器 | 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17577Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON N-CH 30V 60A | 当前型号 | 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150 | 当前型号 |
| 型号： CSD17577Q5AT 品牌： 德州仪器 封装： VSONP-8 N-Channel 30V 60A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.4 V | CSD17577Q5A和CSD17577Q5AT的区别 |
| 型号： CSD17581Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSONP-8 N-CH 30V 60A | 类似代替 | CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET | CSD17577Q5A和CSD17581Q5A的区别 |
| 型号： CSD17576Q5B 品牌： 德州仪器 封装： VSON-CLIP N-CH 30V 100A | 功能相似 | CSD17576Q5B，30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD17577Q5A和CSD17576Q5B的区别 |
