BQ4016YMC-70、DS1265Y-70、DS1265Y-70+对比区别

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型号 BQ4016YMC-70 DS1265Y-70 DS1265Y-70+

描述 1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPNon-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 8000000 B 8000000 B 8000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

供电电流 115 mA - -

存取时间(Max) 70 ns - -

长度 - - 53.34 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 10.29 mm

封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -