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DS1265Y-70

DS1265Y-70

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类
DS1265Y-70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1265Y-70引脚图与封装图
DS1265Y-70引脚图

DS1265Y-70引脚图

DS1265Y-70封装图

DS1265Y-70封装图

DS1265Y-70封装焊盘图

DS1265Y-70封装焊盘图

在线购买DS1265Y-70
型号 制造商 描述 购买
DS1265Y-70 Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP 搜索库存
替代型号DS1265Y-70
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1265Y-70

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: EDIP 8000000B 5V 70ns 36Pin

当前型号

IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

当前型号

型号: DS1265Y-70+

品牌: 美信

封装: EDIP 8000000B 5V 70ns 36Pin

类似代替

Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36

DS1265Y-70和DS1265Y-70+的区别

型号: DS1265Y-100+

品牌: 美信

封装: EDIP-36

类似代替

IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

DS1265Y-70和DS1265Y-100+的区别

型号: BQ4016YMC-70

品牌: 德州仪器

封装: DIP 8000000B 5V 70ns 36Pin

类似代替

1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

DS1265Y-70和BQ4016YMC-70的区别