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IPB80N04S2L03ATMA1、STB150NF04、STB170NF04对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB80N04S2L03ATMA1 STB150NF04 STB170NF04

描述 D2PAK N-CH 40V 80AN沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFETN沟道 40V 80A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 1 -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A - 80A

上升时间 50 ns 150 ns 57 ns

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 45 ns 66 ns

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

漏源极电阻 - 7 mΩ -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 10 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 9.25 mm 9.35 mm 9.35 mm

高度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free