STB150NF04中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 3650pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB150NF04引脚图与封装图
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在线购买STB150NF04
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB150NF04 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB150NF04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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