通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 27 ns
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB80N04S2L03ATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 40V 80A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB80N04S2L03ATMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263-3 N-CH 40V 80A | 当前型号 | D2PAK N-CH 40V 80A | 当前型号 | |
型号: STB150NF04 品牌: 意法半导体 封装: TO-263-3 | 功能相似 | N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET | IPB80N04S2L03ATMA1和STB150NF04的区别 | |
型号: STB170NF04 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-CH 40V 80A | 功能相似 | N沟道 40V 80A | IPB80N04S2L03ATMA1和STB170NF04的区别 | |
型号: FDB8441_F085 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-CH 40V 80A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IPB80N04S2L03ATMA1和FDB8441_F085的区别 |