STB170NF04中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
下降时间 66 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB170NF04引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STB170NF04
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB170NF04 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道 40V 80A | 搜索库存 |
替代型号STB170NF04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB170NF04 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252-3 N-CH 40V 80A | 当前型号 | N沟道 40V 80A | 当前型号 |
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