SI2306BDS-T1-E3、SI2306BDS-T1-GE3、SI2304DDS-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3

描述 VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  SI2306BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236VISHAY  SI2304DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 TO-236 TO-236

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.038 Ω 0.065 Ω 0.049 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.25 W 750 mW 1.1 W

阈值电压 3 V 3 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.16 A 4.00 A 3.60 A

下降时间 10 ns 6 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

上升时间 12 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 305pF @15V(Vds) - 235pF @15V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.75 W - 1.7 W

漏源击穿电压 30 V - -

热阻 100℃/W (RθJA) - -

封装 TO-236 TO-236 TO-236

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.02 mm - 1.02 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99