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SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
.
-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R


富昌:
单 N 沟道 30 V 0.047 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 3.16 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V


SI2306BDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 3.16 A

上升时间 12 ns

热阻 100℃/W RθJA

输入电容Ciss 305pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2306BDS-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SI2306BDS-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI2306BDS-T1-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： SOT-23 N-Channel 30V 3.16A 94mΩ

当前型号

VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SI2304DDS-T1-GE3

品牌： 威世

封装： TO-236 N-Channel 30V 3.6A

类似代替

VISHAY  SI2304DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V

SI2306BDS-T1-E3和SI2304DDS-T1-GE3的区别

型号： SI2306BDS-T1-GE3

品牌： 威世

封装： TO-236 N-Channel 30V 4A

类似代替

VISHAY  SI2306BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236

SI2306BDS-T1-E3和SI2306BDS-T1-GE3的区别

型号： IRLML0030TRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 5.3A

功能相似

INFINEON  IRLML0030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 V

SI2306BDS-T1-E3和IRLML0030TRPBF的区别