SI2306BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
封装 TO-236
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2306BDS-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI2306BDS-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2306BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236 | 搜索库存 |
替代型号SI2306BDS-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2306BDS-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-236 N-Channel 30V 4A | 当前型号 | VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236 | 当前型号 |
| 型号： SI2306BDS-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOT-23 N-Channel 30V 3.16A 94mΩ | 类似代替 | VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V | SI2306BDS-T1-GE3和SI2306BDS-T1-E3的区别 |