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BQ4013YMA-70N、M48Z128-70PM1、M48Z128Y-85PM1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013YMA-70N M48Z128-70PM1 M48Z128Y-85PM1

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM5.0 V或3.3 V , 1兆位( 128千位×8 ) ZEROPOWER ? SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 85.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 85.0 ns

内存容量 125000 B 125000 B 1000000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns 85 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

供电电流 50 mA 105 mA -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 42.8 mm 43.18 mm -

宽度 18.42 mm 18.8 mm -

高度 9.4 mm 9.52 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99