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BQ4013YMA-70N

BQ4013YMA-70N

TI(德州仪器) 主动器件

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 70ns 32-DIP Module 18.42x42.8


得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE


贸泽:
NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module


力源芯城:
128k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限


BQ4013YMA-70N中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 42.8 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BQ4013YMA-70N引脚图与封装图
BQ4013YMA-70N引脚图

BQ4013YMA-70N引脚图

BQ4013YMA-70N封装图

BQ4013YMA-70N封装图

BQ4013YMA-70N封装焊盘图

BQ4013YMA-70N封装焊盘图

在线购买BQ4013YMA-70N
型号 制造商 描述 购买
BQ4013YMA-70N TI 德州仪器 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM 搜索库存
替代型号BQ4013YMA-70N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BQ4013YMA-70N

品牌: TI 德州仪器

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

当前型号

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

当前型号

型号: BQ4013YMA-70

品牌: 德州仪器

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

类似代替

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

BQ4013YMA-70N和BQ4013YMA-70的区别

型号: M48Z128-70PM1

品牌: 意法半导体

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

功能相似

1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM

BQ4013YMA-70N和M48Z128-70PM1的区别

型号: M48Z128Y-70PM1

品牌: 意法半导体

封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin

功能相似

1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM

BQ4013YMA-70N和M48Z128Y-70PM1的区别