![M48Z128Y-85PM1](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_239/chanpintu/m48z128y-85pm1-LtIirxwM-bqV555OyZ.png)
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 85.0 GHz
存取时间 85.0 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 85 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
![M48Z128Y-85PM1引脚图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_239/yinjiaotu/m48z128y-85pm1-202006151w-2j6QeYOlo.png)
M48Z128Y-85PM1引脚图
![M48Z128Y-85PM1封装图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_239/fengzhuangtu/m48z128y-85pm1-202010054w-dqR77dd4o.png)
M48Z128Y-85PM1封装图
![M48Z128Y-85PM1封装焊盘图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_239/hanpantu/m48z128y-85pm1-202006151w-kjaMOy3Xj.png)
M48Z128Y-85PM1封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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M48Z128Y-85PM1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 5.0 V或3.3 V , 1兆位( 128千位×8 ) ZEROPOWER ? SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit 128 Kbit x 8 ZEROPOWER? SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: M48Z128Y-85PM1 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: DIP 1000000B 5V 85ns 32Pin | 当前型号 | 5.0 V或3.3 V , 1兆位( 128千位×8 ) ZEROPOWER ? SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit 128 Kbit x 8 ZEROPOWER? SRAM | 当前型号 | |
型号: BQ4013YMA-70 品牌: 德州仪器 封装: DIP 125000B 5V 70ns 32Pin | 功能相似 | 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM | M48Z128Y-85PM1和BQ4013YMA-70的区别 | |
型号: DS1245Y-85+ 品牌: 美信 封装: DIP 125000B 5V 85ns 32Pin | 功能相似 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-85+ 芯片, 存储器, NVRAM | M48Z128Y-85PM1和DS1245Y-85+的区别 | |
型号: BQ4013YMA-85 品牌: 德州仪器 封装: DIP 1000000B 5V 85ns 32Pin | 功能相似 | 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM | M48Z128Y-85PM1和BQ4013YMA-85的区别 |