PH1955L,115、PSMN3R3-40YS、PH20100S,115对比区别

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型号 PH1955L,115 PSMN3R3-40YS PH20100S,115

描述 LFPAK N-CH 55V 40ANXP  PSMN3R3-40YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 VPH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 4

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 117 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 100A 34.3 A

上升时间 180 ns - -

输入电容(Ciss) 1992pF @25V(Vds) 2754pF @20V(Vds) 2264pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W - 62.5 W

下降时间 134 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 75W (Tc) 117 W 62.5W (Tc)

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.0026 Ω -

阈值电压 - 3 V -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

长度 - 5 mm -

宽度 - 4.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -