PH20100S,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PH20100S,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 34.3 A
输入电容Ciss 2264pF @25VVds
额定功率Max 62.5 W
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PH20100S,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH20100S,115 | NXP 恩智浦 | PH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET | 搜索库存 |
替代型号PH20100S,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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