PH1955L,115

NXP(恩智浦) 分立器件

LFPAK N-CH 55V 40A

表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

得捷:
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK56

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 40A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 40A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK

PH1955L,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 1992pF @25VVds

额定功率Max 75 W

下降时间 134 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PH1955L,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PH1955L,115	NXP 恩智浦	LFPAK N-CH 55V 40A	搜索库存

替代型号PH1955L,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PH1955L,115 品牌： NXP 恩智浦封装： LFPAK N-Channel 55V 40A	当前型号	LFPAK N-CH 55V 40A	当前型号
型号： PSMN017-60YS 品牌：恩智浦封装： SOT-669 N-Channel 60V 44A	功能相似	NXP PSMN017-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 V	PH1955L,115和PSMN017-60YS的区别
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型号： PSMN8R5-60YS 品牌：恩智浦封装： SOT-669 N-Channel 60V 76A	功能相似	NXP PSMN8R5-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V	PH1955L,115和PSMN8R5-60YS的区别