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MJE13009G、ST13009、FJP13009TU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE13009G ST13009 FJP13009TU

描述 12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTSSTMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 4 MHz - 4 MHz

额定电压(DC) 400 V 900 V 400 V

额定电流 12.0 A 12.0 A 12.0 A

额定功率 100 W - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 100 W 100 W 100 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 12A 12A 12A

最小电流放大倍数(hFE) 8 10 @8A, 5V 8 @5A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 40 - -

额定功率(Max) 2 W 100 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 100000 mW

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 10 8

长度 10.28 mm - 10.67 mm

宽度 4.82 mm - 4.83 mm

高度 9.28 mm - 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99